包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPLK80R2K0P7ATMA1

包装方式：Reel

类型：MOSFET

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1000psc

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

功率：62.5W

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：800V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：R8002KND3TL1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：7.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4.2Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：R8002KND3TL1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：7.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4.2Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHU5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：R8002KND3TL1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：7.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4.2Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1