销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
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集电极脉冲电流(Icm):20A
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栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
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销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
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集电极脉冲电流(Icm):20A
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
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功率:2.5W
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类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
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销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
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销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
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集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
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集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
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集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
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集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5CGSCATMA1
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连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):6000psc
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6.5mΩ
阈值电压:3.8V
连续漏极电流:13A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
栅极电荷:43nC
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
反向恢复时间:134.5ns
关断延迟时间:140ns
关断损耗:78.5µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
导通损耗:56µJ
包装方式:卷带(TR)
开启延迟时间:30ns
集电极脉冲电流(Icm):20A
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD5H60DF
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4657}
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: