品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L055GNTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.7V@1mA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
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输入电容:500pF@30V
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
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输入电容:500pF@30V
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导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L055GNTCR
工作温度:150℃
功率:2W
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类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L055GNTCR
工作温度:150℃
功率:2W
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类型:N沟道
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
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输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):RF4L055GNTCR
工作温度:150℃
功率:2W
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连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L055GNTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.7V@1mA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L055GNTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.7V@1mA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L055GNTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.7V@1mA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
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连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L055GNTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.7V@1mA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L055GNTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.7V@1mA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K37GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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