采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：14pF@15V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA312B-600CT，118
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：35mA
浪涌电流(Itsm)：95A
工作温度：150℃
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VS-25TTS12STRL-M3
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
通态峰值电压(Vtm)：1.25V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：150mA
浪涌电流(Itsm)：350A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：25A
门极触发电流(Igt)：45mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：Z0103MN，135
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：7mA
浪涌电流(Itsm)：8A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：1A
门极触发电流(Igt)：3mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：125Ω
类型：P通道
ECCN：EAR99
输入电容：11pF@10V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：3V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：7mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：225MHz，140MHz
功率：290mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：18000，"06+"：21000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：15@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：瑞能
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT136S-800DJ
断态峰值电压(Vdrm)：800V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：10mA
浪涌电流(Itsm)：25A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：10mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT168GWF，115
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.7V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：10mA
浪涌电流(Itsm)：8A
通态RMS电流(It(rms))：1A
门极触发电流(Igt)：450µA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：5pF@10V
功率：225mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2.5V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：24mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA204S-600B，118
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：30mA
浪涌电流(Itsm)：25A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：50mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ACTT2S-800E，118
断态峰值电压(Vdrm)：800V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：25mA
浪涌电流(Itsm)：14A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：2A
门极触发电流(Igt)：10mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：80Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：16pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"10+"：1643，"12+"：10277，"13+"：3397，"15+"：2000，"17+"：2439，"19+"：13}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：晶闸管
行业应用：其它
生产批次：{"10+"：98000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCR169DRLRAG
断态峰值电压(Vdrm)：400V
通态峰值电压(Vtm)：1.7V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：5mA
浪涌电流(Itsm)：10A
工作温度：-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms))：800mA
门极触发电流(Igt)：200µA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：202mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：12pF@10V
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：300Ω
类型：P通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN-预偏压+二极管
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：37520}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：320mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：10.5pF@5V
功率：300mW
栅源击穿电压：15V
栅源截止电压：300mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：10mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
