采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLP9H10S-850AVTY
功率：850W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4532AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@15V€528pF@15V
连续漏极电流：7.3A€5.3A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：767pF@10V
连续漏极电流：8.5A€7A
类型：N和P沟道
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：14pF@15V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLC9G21LS-60AVY
功率：65V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：65V
类型：双，共源
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BBGTL1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ370UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：490mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.6V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@28A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@15V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5468，"21+"：66398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.3pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：62，"19+"：11，"20+"：80}
销售单位：个
规格型号(MPN)：A2T18H455W23NR6
功率：65V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：65V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF030P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA312B-600CT，118
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：35mA
浪涌电流(Itsm)：95A
工作温度：150℃
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H850NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€73W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@40V
连续漏极电流：14.8A€64A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8851EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：7.7A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XPA2R
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：49mΩ@4A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VS-25TTS12STRL-M3
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
通态峰值电压(Vtm)：1.25V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：150mA
浪涌电流(Itsm)：350A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：25A
门极触发电流(Igt)：45mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
