采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL01N60ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1475，"12+"：18761}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2497，"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N80ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1475，"12+"：18761}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3250，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2497，"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N80ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3250，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"15+"：3000}
规格型号(MPN)：NDTL01N60ZT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
导通电阻：15Ω@400mA，10V
栅极电荷：4.9nC@10V
漏源电压：600V
输入电容：92pF@25V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
功率：26W
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
连续漏极电流：4.7A
漏源电压：600V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
导通电阻：1Ω@1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"16+"：22500}
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
导通电阻：15Ω@400mA，10V
栅极电荷：4.9nC@10V
漏源电压：600V
输入电容：92pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
