品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
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库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
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栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
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连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
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栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
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类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
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导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
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规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
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类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
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连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
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品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
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品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8657-TL-H
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF @ 20V
连续漏极电流:4.5A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:59 毫欧 @ 2A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
连续漏极电流:5.4A(Tj)
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2 nC @ 4.5 V
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: