采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：6.04A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：6.04A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：6.04A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：6.04A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：6.04A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
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输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2035UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：6.04A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2035UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：6.04A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
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栅极电荷：15nC@4.5V
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输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：15nC@4.5V
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输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
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输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
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连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
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类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
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类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
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功率：890mW
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
输入电容：1376pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：7.8A
导通电阻：9mΩ@12A，10V
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：890mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
输入电容：1376pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：7.8A
导通电阻：9mΩ@12A，10V
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：890mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：1060pF@4V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
功率：890mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
