采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB720P15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W€3.8W
阈值电压：2V@5.55mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11nF@75V
连续漏极电流：4.6A€41A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@37A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：981，"9999"：637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI020N06D1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC011N06LM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2.3V@116μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11nF@30V
连续漏极电流：288A€37A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€52W
阈值电压：2V@40μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：13A€48A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5744}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-80YSEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8nF@40V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W€1.2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.254nF@40V
连续漏极电流：70A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.752nF@20V
连续漏极电流：240A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI020N06D1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€52W
阈值电压：2V@40μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：13A€48A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-80YSEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8nF@40V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.75A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB720P15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W€3.8W
阈值电压：2V@5.55mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11nF@75V
连续漏极电流：4.6A€41A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@37A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
