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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
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    当前匹配商品:600+
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    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB720P15LMATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB720P15LMATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W€3.8W

    阈值电压:2V@5.55mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11nF@75V

    连续漏极电流:4.6A€41A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:72mΩ@37A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST007N04NM6AUMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST007N04NM6AUMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":981,"9999":637}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST007N04NM6AUMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W€3.8W

    阈值电压:3.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.9nF@20V

    连续漏极电流:54A€440A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:700mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28ENEAR

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:660mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1 起订1000个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1 起订1000个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI020N06D1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC011N06LM5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC011N06LM5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC011N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.3V@116μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11nF@30V

    连续漏极电流:288A€37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD025N06NATMA1 起订309个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD025N06NATMA1 起订309个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":62500,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD025N06NATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:2.8V@95μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.2nF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@25μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:489pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:5.7pF@30V

    导通电阻:13.6mΩ@10V,5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA444CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA444CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:39mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5744}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@25μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:489pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:5.7pF@30V

    导通电阻:13.6mΩ@10V,5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:294W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8nF@40V

    连续漏极电流:170A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:3.5V@180μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.855nF@25V

    连续漏极电流:252A€43A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-40YSDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-40YSDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-40YSDX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:238W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.752nF@20V

    连续漏极电流:240A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1 起订10个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1 起订10个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI020N06D1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28ENEAR

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:660mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:294W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8nF@40V

    连续漏极电流:170A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB720P15LMATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB720P15LMATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":360}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W€3.8W

    阈值电压:2V@5.55mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11nF@75V

    连续漏极电流:4.6A€41A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:72mΩ@37A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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