品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W€3.8W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@75V
连续漏极电流:4.6A€41A
类型:1个P沟道
导通电阻:72mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":981,"9999":637}
销售单位:个
规格型号(MPN):IST007N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W€3.8W
阈值电压:3.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.9nF@20V
连续漏极电流:54A€440A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28ENEAR
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC011N06LM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.3V@116μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@30V
连续漏极电流:288A€37A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":62500,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD025N06NATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€167W
阈值电压:2.8V@95μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.2nF@30V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
阈值电压:2V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:13A€48A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5744}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:238W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.752nF@20V
连续漏极电流:240A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
阈值电压:2V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:13A€48A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28ENEAR
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:3.75A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W€3.8W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@75V
连续漏极电流:4.6A€41A
类型:1个P沟道
导通电阻:72mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: