采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPSA29-D26Z
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@610mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPSA29-D26Z
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPSA29-D26Z
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMMT634TA
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：900mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：140MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：200nA
特征频率：140MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.05V@5mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMMT634TA
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：900mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：140MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
