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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN012-100YSFX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN012-100YSFX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@50V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2672 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2672 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2535pF@100V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@40V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@65A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2715pF@75V

    连续漏极电流:9.6A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R403NL,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R403NL,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R403NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€64W

    阈值电压:2.3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86201

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2735pF@60V

    连续漏极电流:11.6A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03MSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03MSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ050N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1835pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L020ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L020ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2744pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.04mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1835pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS011N15MC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS011N15MC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS011N15MC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€147W

    阈值电压:4.5V@194µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3592pF@75V

    连续漏极电流:10.7A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R403NL,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R403NL,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R403NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€64W

    阈值电压:2.3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2672 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2672 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2535pF@100V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L020ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L020ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2744pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.04mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R403NL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R403NL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R403NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€64W

    阈值电压:2.3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@40V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@65A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@40V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@65A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2715pF@75V

    连续漏极电流:9.6A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€136W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:20A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€136W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:20A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2715pF@75V

    连续漏极电流:9.6A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G110ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@20V

    连续漏极电流:11A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.4mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR66922 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR66922 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR66922

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@50V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€92.6W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:14A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€136W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:20A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€92.6W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:14A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2672 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2672 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2535pF@100V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YLDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YLDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:142W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2969pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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