采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：701，"22+"：3610，"23+"：2632}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD20N06TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：16.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，8.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCACL110N08Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.29nF@40V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：874，"22+"：13717}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86252
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@75V
连续漏极电流：5A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8622
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@50V
连续漏极电流：4.8A€16.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，4.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86252
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@75V
连续漏极电流：5A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
