采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R105P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：137W
阈值电压：4V@530µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1952pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4229，"18+"：22511693，"19+"：171794}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB27EP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@15V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5690，"18+"：72000，"19+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@30V
连续漏极电流：10.6A€22A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB27EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@15V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3372，"21+"：9230，"22+"：6044}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：130，"22+"：1000，"23+"：9800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：130，"22+"：1000，"23+"：9800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5690，"18+"：72000，"19+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R105P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：137W
阈值电压：4V@530µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1952pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S52R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2414}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5690，"18+"：72000，"19+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
