采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：72W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：47 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065030B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：242W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：65A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：35 毫欧 @ 50A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6944，"16+"：30000，"17+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4806NT4G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1.4W（Ta），68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142 pF @ 12 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：16300，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB047N10
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：375W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15265 pF @ 25 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.7 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：72W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：47 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：16300，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
