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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    工作温度: -55°C~175°C(TJ)
    当前匹配商品:200+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:16A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":176,"22+":45572,"23+":968,"MI+":3004}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9401-F085

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:429W(Tj)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:296 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:300A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.65 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ3C065080B3 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ3C065080B3 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ3C065080B3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:6V @ 10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51 nC @ 15 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500 pF @ 100 V

    连续漏极电流:25A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:111 毫欧 @ 20A,12V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:16A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N05SM9A

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:72W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80 nC @ 20 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:16A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ3C065030B3 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ3C065030B3 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ3C065030B3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:242W(Tc)

    阈值电压:6V @ 10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51 nC @ 15 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500 pF @ 100 V

    连续漏极电流:65A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:35 毫欧 @ 50A,12V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB55N10TM

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.75W(Ta),155W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订943个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订943个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4806NT4G

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:1.4W(Ta),68W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142 pF @ 12 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订359个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订359个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":16300,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2572

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:135W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:16A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2572

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:135W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB047N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB047N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB047N10

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:375W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15265 pF @ 25 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB55N10TM

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.75W(Ta),155W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N05SM9A

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:72W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80 nC @ 20 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:16A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":176,"22+":45572,"23+":968,"MI+":3004}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9401-F085

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:429W(Tj)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:296 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:300A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.65 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:16A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2572

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:135W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB55N10TM

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.75W(Ta),155W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":16300,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2572

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:135W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":176,"22+":45572,"23+":968,"MI+":3004}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9401-F085

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:429W(Tj)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:296 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:300A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.65 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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