采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2369}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB123N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2369}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB123N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
