品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:80Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:16pF@20V
功率:350mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:8mA@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:12pF@10V
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:300Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:30V
工作温度:-55℃~135℃
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:7pF@15V
功率:350mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:500mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:1mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:12pF@10V
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@350mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:4.5pF@15V
功率:350mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:800mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:900µA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:13pF@20V
功率:350mW
栅源击穿电压:40V
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:125Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:30V
工作温度:-55℃~135℃
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:200µA@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:300Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:30V
工作温度:-55℃~135℃
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RK7002BMHZGT116
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GS2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7400
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
特征频率:250MHz
功率:350mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":40708,"17+":190000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.89nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: