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    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S100Z 起订1个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S100Z 起订1个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLP15H9S100Z

    功率:100W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N10S3L16ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N10S3L16ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.4V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4180pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S100GZ 起订1个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S100GZ 起订1个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLP15H9S100GZ

    功率:100W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@21A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S2L23ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S2L23ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":6,"22+":2004}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N06S2L23ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1091pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@22A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7760pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3935pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3935pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2120,"23+":4592,"MI+":5875}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@21A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50N12S3L15ATMA1 起订363个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50N12S3L15ATMA1 起订363个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19566,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB50N12S3L15ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.4V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4180pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S2L23ATMA3 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S2L23ATMA3 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1459,"22+":13901,"23+":188484,"MI+":36009}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N06S2L23ATMA3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1091pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@22A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3935pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S51R9ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S51R9ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":20750,"23+":56895,"24+":69757}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S51R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:3.4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3770pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJB5742T4G 起订10个装
    onsemi 达林顿管 MJB5742T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJB5742T4G

    集射极击穿电压(Vceo):400V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:100W

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@400mA,8A

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):200@4A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S100Z 起订25个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S100Z 起订25个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLP15H9S100Z

    功率:100W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJB5742T4G 起订10个装
    onsemi 达林顿管 MJB5742T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJB5742T4G

    集射极击穿电压(Vceo):400V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:100W

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@400mA,8A

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):200@4A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S2L23ATMA3 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S2L23ATMA3 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1459,"22+":13901,"23+":188484,"MI+":36009}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N06S2L23ATMA3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1091pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@22A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6414ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ650N10TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ650N10TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ650N10TL

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10780pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6414ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3935pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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