采购热线 400-661-9010
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@8V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：21.8A€95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3140，"22+"：7497，"23+"：7200，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6773pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：87，"20+"：890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：400psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5104TR2PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€114W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA02EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：520，"22+"：3759，"23+"：3000，"MI+"：3255}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@20V
连续漏极电流：27A€141A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1489}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3140，"22+"：7497，"23+"：7200，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6773pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA81EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：P沟道
导通电阻：17.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：21.8A€95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：21.8A€95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：23，"20+"：850，"22+"：26}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB140N08S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：520，"22+"：3759，"23+"：3000，"MI+"：3255}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@20V
连续漏极电流：27A€141A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：21.8A€95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@20V
连续漏极电流：27A€141A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
