采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9135HSR3
功率：39W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：78}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9135HR3
功率：39W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：78}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9135HR3
功率：39W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6500，"MI+"：9210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：40}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9135HR5
功率：39W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6500，"MI+"：9210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：40}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9135HR5
功率：39W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
