采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：995，"MI+"：1250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD7P19130HR3
功率：40W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：6100，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD7P19130HSR3
功率：40W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：6100，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD7P19130HSR3
功率：40W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：995，"MI+"：1250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD7P19130HR3
功率：40W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：6100，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD7P19130HSR3
功率：40W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：995，"MI+"：1250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD7P19130HR3
功率：40W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
