首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    包装方式
    ECCN
    工作温度
    行业应用
    栅极电荷
    48nC 42nC@10V 33nC@10V 47nC@8V 700pC@4.5V 26nC@10V 90nC@10V 20nC@4.5V 3nC@4.5V 12nC@10V 38nC@10V 79nC@10V 13.6nC@10V 2.7nC@4.5V 1.8nC@10V 13nC@10V 400pC@4.5V 22nC@10V 31nC@10V 30nC@10V 61nC 14.6nC@30V 40nC@10V 740pC@4.5V 13nC@4.5V 5.2nC@4.5V 750pC@4.5V 10.9nC@10V 10.2nC@4.5V 30nC@4.5V 8.3nC@10V 6.5nC@4.5V 7nC@10V 5.1nC@4.5V 8.8nC@4.5V 7.7nC@10V 83nC@10V 9nC@10V 800pC@4.5V 14nC@4.5V 350pC@5V 110nC@4.5V 5.5nC@4.5V 65nC@10V 7.6nC@5V 15nC@4.5V 6.3nC@10V 34nC@10V 6nC@10V 23nC@10V 10nC@4.5V 60nC@4.5V 28nC@10V 4.8nC@4.5V 11.2nC@4.5V 18nC@10V 23nC@4.5V 76nC@10V 91nC@10V 98nC@10V 10.8nC@10V 42nC@5V 113nC@10V 12nC@4.5V 6.8nC@10V 3.9nC@4.5V 29.8nC@10V 52nC@10V 4nC@4.5V 34nC@4.5V 67nC@10V 11.5nC@10V 11nC@10V 1.1nC@4.5V 1nC@4.5V 6nC@4.5V 135nC@10V 75nC@10V 15nC@10V 17.2nC@10V 8.2nC@10V 2.2nC@4.5V 41nC@10V 53nC@10V 5.1nC@10V 800pC@5V 5.4nC@10V 8.7nC@4.5V 18.1nC@10V 139nC@10V 4.76nC@4.5V 300pC@4.5V 6.3nC@4.5V 7nC@5V 25nC@10V 101nC@10V 19nC@10V 6.7nC@10V 17nC@10V 56nC@10V 5nC@4.5V 33.7nC@10V 14nC@10V 20nC@10V 18nC@4.5V 7.7nC@4.5V 1.2nC@10V 27nC@10V 500pC@4.5V 32nC@10V 900pC@4.5V 8.56nC@5V 11nC@4.5V 5.8nC@10V 10nC@10V 590pC@10V 4nC@5V 115nC@10V 20.2nC@4.5V 27nC@4.5V 6.1nC@5V 21nC@10V 21nC@5V 360pC@4.5V 8.4nC@10V 22.2nC@10V 13.5nC@4.5V 5.6nC@5V 7.6nC@4.5V 61nC@10V 63nC@10V 7nC@4.5V 1.4nC@4.5V 53.1nC@10V 2nC@10V 4.6nC@4.5V 40nC@4.5V 68nC@10V 49nC@10V 600pC@4.5V 3.5nC@4.5V 35nC@10V 16.6nC@10V 9nC@4.5V 6.8nC@4.5V 2.8nC@10V 7.8nC@10V 1.5nC@4.5V 380pC@4.5V 900pC@10V 29nC@10V 9.3nC@10V 16nC@10V 24nC@10V 5.4nC@4.5V 12.2nC@10V 48nC@10V 5nC@5V 92.7nC@10V 18.4nC@10V 43.4nC@10V 7.1nC@4.5V 4.3nC@4.5V 20.7nC@10V 1.3nC@10V 26.1nC@10V 800pC@8V 4nC@10V 8.2nC@8V 3.5nC@4V 5.85nC@4.5V 7.3nC@10V 45nC@15V 17.3nC@10V 950pC@4.5V€1.1nC@4.5V 53.5nC@10V 2.5nC@10V 116nC@4.5V 4.4nC@5V 168nC@8V 52.2nC@10V 8.3nC 68nC@4.5V
    栅源截止电压
    漏源饱和电流
    栅源击穿电压
    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:2400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订589个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订589个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G50N03K 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G50N03K 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G50N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48W

    阈值电压:1.45V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@30μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.147nF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT55N06D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT55N06D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT55N06D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.988nF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69W

    阈值电压:1.7V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:54pF@25V

    导通电阻:9.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD20N06TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:16.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,8.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.66nF@25V

    连续漏极电流:36A€235A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧