采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N12NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.6V@111µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@60V
连续漏极电流：19.2A€163A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30025}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB110N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2560pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8807}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：15000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€237W
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4815pF@75V
连续漏极电流：18A€128A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@69A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-25MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3167pF@12V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.81mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5410TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5002，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC037N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.8V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：15000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€237W
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4815pF@75V
连续漏极电流：18A€128A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@69A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5410TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5410TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-25MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3167pF@12V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.81mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR5410TRL
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-25MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3167pF@12V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.81mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N12NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.6V@111µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@60V
连续漏极电流：19.2A€163A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：35652}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B03NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€165W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@50V
连续漏极电流：19A€132A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：35652}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B03NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€165W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@50V
连续漏极电流：19A€132A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
