采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30P06PGBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：75 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30P06PGBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：75 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5612
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660 pF @ 30 V
连续漏极电流：5.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：55 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30P06PGBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：75 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30P06PGBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：75 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），37W（Tc）
阈值电压：2V @ 25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Ta），36A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08P06PGBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420 pF @ 25 V
连续漏极电流：8.83A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：300 毫欧 @ 10A，6.2V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30P06PGBTMA1
导通电阻：75 毫欧 @ 21.5A，10V
功率：125W（Tc）
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：60V
输入电容：1535 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
栅极电荷：48 nC @ 10 V
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
阈值电压：4V @ 1.7mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1018ESTRLPBF
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4V @ 100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290 pF @ 50 V
连续漏极电流：79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.4 毫欧 @ 47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08P06PGBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420 pF @ 25 V
连续漏极电流：8.83A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：300 毫欧 @ 10A，6.2V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08P06PGBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420 pF @ 25 V
连续漏极电流：8.83A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：300 毫欧 @ 10A，6.2V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1018ESTRLPBF
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4V @ 100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290 pF @ 50 V
连续漏极电流：79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.4 毫欧 @ 47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1018ESTRLPBF
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4V @ 100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290 pF @ 50 V
连续漏极电流：79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.4 毫欧 @ 47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），37W（Tc）
阈值电压：2V @ 25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Ta），36A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
漏源电压：60V
栅极电荷：29 nC @ 10 V
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08P06PGBTMA1
类型：P 通道
栅极电荷：13 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
功率：42W（Tc）
连续漏极电流：8.83A（Ta）
漏源电压：60V
输入电容：420 pF @ 25 V
导通电阻：300 毫欧 @ 10A，6.2V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
漏源电压：60V
栅极电荷：29 nC @ 10 V
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
漏源电压：60V
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
阈值电压：2.2V @ 30µA
类型：2 N-通道（双）
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN230ENEAX
阈值电压：2.7V @ 250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A（Ta）
功率：625mW（Ta），5.4W（Tc）
漏源电压：60V
类型：N 通道
栅极电荷：3.8 nC @ 10 V
导通电阻：222 毫欧 @ 1.8A，10V
输入电容：110 pF @ 30 V
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R1-60YLX
包装方式：卷带（TR）
功率：238W（Ta）
栅极电荷：103 nC @ 10 V
漏源电压：60V
类型：N 通道
输入电容：7853 pF @ 25 V
阈值电压：2.1V @ 1mA
导通电阻：4.1 毫欧 @ 25A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：100A（Ta）
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
漏源电压：60V
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
阈值电压：2.2V @ 30µA
类型：2 N-通道（双）
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：2896}
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
输入电容：10100 pF @ 30 V
包装方式：卷带（TR）
功率：333W（Tc）
导通电阻：1.8 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
连续漏极电流：110A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
栅极电荷：163 nC @ 10 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
