品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N7002KFU,LF
工作温度:150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@30V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@310mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2017}
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":439,"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3816-DL-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RK7002BMHZGT116
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PV,115
工作温度:150℃
功率:330mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR020N06TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PS,115
工作温度:150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L151ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PS,115
工作温度:150℃
功率:420mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L015SPTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: