品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2309CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2309CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG
工作温度:150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG
工作温度:150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2309CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG
工作温度:150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG
工作温度:150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG
工作温度:150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2309CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG
工作温度:150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2309CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2309CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2309CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG
工作温度:150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG
工作温度:150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2309CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2309CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG
工作温度:150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1571}
销售单位:个
规格型号(MPN):6HP04MH-TL-W
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.1pF@20V
连续漏极电流:370mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@190mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L151ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":83323}
销售单位:个
规格型号(MPN):6HP04CH-TL-W
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.1pF@20V
连续漏极电流:370mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@190mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:12.7mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L01BATTL1
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J356R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J356R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: