采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26，215
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV49，135
功率：1.3W
晶体管类型：NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PS，125
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
连续漏极电流：320mA
输入电容：50pF@10V
功率：420mW
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV46，215
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PV，115
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
功率：330mW
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BK，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：370mW
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：1.5W
导通电阻：12Ω@200mA，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：225mA
输入电容：90pF@25V
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP62，115
功率：1.25W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PS，115
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
连续漏极电流：320mA
输入电容：50pF@10V
功率：420mW
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST52，115
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BK，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：370mW
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP250，135
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：250pF@20V
功率：1.65W
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：3A
导通电阻：250mΩ@1A，10V
类型：P沟道
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"22+"：10800}
规格型号(MPN)：BSP50，115
功率：1.25W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
晶体管类型：NPN
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
集射极击穿电压(Vceo)：45V
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST52，115
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX2301PVL
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：2A
阈值电压：1.1V@250µA
输入电容：380pF@6V
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST51，135
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
晶体管类型：NPN
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PS，115
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
连续漏极电流：320mA
输入电容：50pF@10V
功率：420mW
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP60，115
功率：1.25W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
集射极击穿电压(Vceo)：45V
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BK，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：370mW
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV28，115
功率：1.3W
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，215
晶体管类型：NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：28000}
规格型号(MPN)：2N7002PV，115
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
功率：330mW
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKSH
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：60V
类型：2个N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
功率：295mW€1.04W
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP250，135
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：250pF@20V
功率：1.65W
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：3A
导通电阻：250mΩ@1A，10V
类型：P沟道
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST52，135
功率：1.3W
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST52，135
功率：1.3W
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST52，115
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBTA14，215
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKSH
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：60V
类型：2个N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
功率：295mW€1.04W
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV29，115
功率：1.3W
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：220MHz
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
