品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKVL
工作温度:150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PV,115
工作温度:150℃
功率:330mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":2000,"21+":990}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP61,115
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.25W
集电集截止电流(Icbo):50nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":6007}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4402UPEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP220,115
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:225mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,115
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PS,115
工作温度:150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PS,115
工作温度:150℃
功率:420mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47,215
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PS,115
工作温度:150℃
功率:420mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKSH
工作温度:150℃
功率:295mW€1.04W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":2990,"20+":3000,"21+":2758416,"22+":88822}
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27,215
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PS,115
工作温度:150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKW,115
工作温度:150℃
功率:275mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":15000,"19+":19400,"22+":176,"MI+":2422}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP220,115
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:225mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV48,115
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PV,115
工作温度:150℃
功率:330mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PS,115
工作温度:150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47,235
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKS,115
工作温度:150℃
功率:295mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47,235
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PS,115
工作温度:150℃
功率:420mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV28,115
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":110040,"19+":211891}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PS/ZLX
工作温度:150℃
功率:990mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BST51,115
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):50nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: