采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：198309，"23+"：8000，"24+"：8000，"MI+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7428_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
