品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A€6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.73W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2588pF@10V
连续漏极电流:10.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:25.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1508pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA414DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1508pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA414DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: