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    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.98W€9.6W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@10V

    连续漏极电流:10A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3460EV-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3460EV-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3460EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN302P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:882pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS420EN-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS420EN-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1643pF@20V

    连续漏极电流:4.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7821TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@15V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMA291P 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMA291P 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA291P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1100UCB4-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1100UCB4-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1100UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:670mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:83mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD2110TT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1072pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025SFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025SFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1643pF@20V

    连续漏极电流:4.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025SFG-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025SFG-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1643pF@20V

    连续漏极电流:4.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订2904个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订2904个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":66000,"MI+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN302P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:882pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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