品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1306,"22+":1249}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1306,"22+":1249}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1306,"22+":1249}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
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ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
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类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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