采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS1D7N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€87W
阈值电压：2.2V@90µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@15V
连续漏极电流：35A€170A
类型：N沟道
导通电阻：1.74mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS42LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2058pF@50V
连续漏极电流：11.3A€39A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS42LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2058pF@50V
连续漏极电流：11.3A€39A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1915pF@20V
连续漏极电流：18.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH22N95K5-2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@9A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2599，"22+"：1454，"23+"：1866，"MI+"：2919}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHM9331TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1543pF@25V
连续漏极电流：11A€24A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5N15F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@2.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL2705TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1915pF@20V
连续漏极电流：18.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@30µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1915pF@20V
连续漏极电流：18.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS42LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2058pF@50V
连续漏极电流：11.3A€39A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1915pF@20V
连续漏极电流：18.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
