采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：689，"21+"：55972，"MI+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16322Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@12.5V
连续漏极电流：21A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16322Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@12.5V
连续漏极电流：21A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16322Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@12.5V
连续漏极电流：21A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16322Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@12.5V
连续漏极电流：21A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
