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    行业应用
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    ECCN
    阈值电压
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    栅极电荷
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    连续漏极电流
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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 40V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:2.0万+
    商品信息
    参数
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N04S4L02ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N04S4L02ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N04S4L02ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.2V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12800pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L025ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L025ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@24µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2019pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.56mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2504N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@20V

    连续漏极电流:890mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC076N04NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€65W

    阈值电压:4V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€61W

    阈值电压:2.4V@420µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:11.3A€49A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN8459TR 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN8459TR 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN8459TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@50µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS010N04CLTWG 起订1018个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS010N04CLTWG 起订1018个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€32W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:13A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LK3-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LK3-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:33.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1643pF@20V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2V@10µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS1D2N04CLTWG 起订103个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS1D2N04CLTWG 起订103个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS1D2N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6330pF@20V

    连续漏极电流:44A€258A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14780pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR402DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9100pF@20V

    连续漏极电流:64.6A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N04LSGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2V@49µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SSD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SSD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4047SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1154pF@20V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 AFT09MP055NR1 起订16个装
    NXP Mosfet场效应管 AFT09MP055NR1 起订16个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":344}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AFT09MP055NR1

    功率:40V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:40V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3438DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@20V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L009ATMA1 起订398个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L009ATMA1 起订398个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9784}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L009ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7806pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:960mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLS8409-7TRL 起订148个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLS8409-7TRL 起订148个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"93+":455}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRLS8409-7TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:266nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16488pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.75mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB90N04S402ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB90N04S402ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB90N04S402ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9430pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4004LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:82.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4508pF@20V

    连续漏极电流:26A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@25V

    连续漏极电流:41A€235A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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