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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC093N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€35W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：13A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€35W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC093N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：13A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC093N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€35W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：13A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC093N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：13A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC093N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€35W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：13A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC093N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：13A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€35W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC093N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€35W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：13A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M9R5-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC093N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€35W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：13A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
