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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 100V
    栅极电荷: 60nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4296 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4296 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4296

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@50V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86103L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3710pF@50V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3.5V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4320pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.11mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86103L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3710pF@50V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ301N10FRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ301N10FRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ301N10FRATL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4D2N10MDT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€132W

    阈值电压:4V@239µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@50V

    连续漏极电流:16.4A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4D2N10MDT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€132W

    阈值电压:4V@239µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@50V

    连续漏极电流:16.4A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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