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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4410EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4410EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8896
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9321TRPbF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@50µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4410EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：37880，"23+"：11218}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4410EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
