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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87331Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V€1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:518pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3D

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订1069个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订1069个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":2125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3DT

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8896

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E150GNTB 起订11个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E150GNTB 起订11个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E150GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€17.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3DT

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9321TRPbF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9321TRPbF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9321TRPbF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@50µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2590pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SSS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SSS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订1069个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订1069个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":37880,"23+":11218}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3D

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UTS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UTS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87331Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V€1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:518pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87381P 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87381P 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87381P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4W

    阈值电压:1.9V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:564pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:16.3mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E150GNTB 起订186个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E150GNTB 起订186个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E150GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€22.9W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E150GNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E150GNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E150GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€17.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8854 起订538个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8854 起订538个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":2155}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8854

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    输入电容:3405pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2717AGR-E1-AT 起订216个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2717AGR-E1-AT 起订216个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2717AGR-E1-AT

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    输入电容:3.55nF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K513NU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K513NU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K513NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@100µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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