采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50P03B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6464pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8018
功率：83W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：175A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8018
功率：83W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：175A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50P03B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6464pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB42N03S2L-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@37µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：12.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8018
功率：83W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：175A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8018
功率：83W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：175A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：16+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8018
功率：83W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：175A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8018
功率：83W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：175A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB42N03S2L-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@37µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：12.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50P03B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6464pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50P03B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6464pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50P03B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6464pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8018
功率：83W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：175A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50P03B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6464pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
