品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@340µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4877pF@15V
连续漏极电流:75A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ456EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3342pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@36µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4081}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF60R217
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4877pF@15V
连续漏极电流:75A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4877pF@15V
连续漏极电流:75A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90R1K2C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7545TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.7V@100µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3890pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2286pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: