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    83W
    行业应用
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 83W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1200+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R145CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R145CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@340µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@400V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R220M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R220M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:5.7V@1.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:312pF@800V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:294mΩ@4A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ456EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3342pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订408个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订408个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4081}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KND3TL1 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8006KND3TL1 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8006KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@4mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R380E6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R380E6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R220M1HXTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R220M1HXTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:5.7V@1.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:312pF@800V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:294mΩ@4A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@20V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90R1K2C3ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90R1K2C3ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90R1K2C3ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@310µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7545TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7545TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7545TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@100µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3890pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@51A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0805LSATMA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0805LSATMA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2286pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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