采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC04DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.45mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：2856，"13+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6382
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：1.85mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6382
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：1.85mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6382
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：1.85mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0391DPA-00#J5A
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC04DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.45mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6382
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：1.85mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0391DPA-00#J5A
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC04DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.45mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC04DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.45mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC04DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.45mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6382
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：1.85mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3707ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.25V@25µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6382
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：1.85mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
