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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：84000，"04+"：324000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5905T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：84000，"04+"：324000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5905T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
