品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@49µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@47.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@47.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@47.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@47.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@47.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@47.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@47.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL105N8F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3475pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM90142E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:15.3mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:83nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:83nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@49µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@47.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: