采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP316PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@170µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：146pF@25V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：1.8Ω@680mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1212
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP316PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@170µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：146pF@25V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：1.8Ω@680mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP316PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：146pF@25V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：1.8Ω@680mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1212
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP316PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：146pF@25V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：1.8Ω@680mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP316PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：146pF@25V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：1.8Ω@680mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP316PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：146pF@25V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：1.8Ω@680mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP316PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：146pF@25V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：1.8Ω@680mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
