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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：8693，"18+"：531000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BG3130H6327XTSA1
功率：8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8V
类型：2 N-通道（双）
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：607750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BG3130RH6327XTSA1
功率：8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8V
类型：2 N-通道（双）
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：607750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BG3130RH6327XTSA1
功率：8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8V
类型：2 N-通道（双）
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：607750}
规格型号(MPN)：BG3130RH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
类型：2 N-通道（双）
功率：8V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：8693，"18+"：531000}
规格型号(MPN)：BG3130H6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
类型：2 N-通道（双）
功率：8V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLWFT1G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3W（Ta），40W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 30µA
栅极电荷：7nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF @ 25V
连续漏极电流：14A（Ta），52A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：7.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF24G300HSR5
功率：125V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：125V
类型：2 N-通道（双）
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2331
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1266pF @ 50V
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
漏源电压：60V
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
阈值电压：2.2V @ 30µA
类型：2 N-通道（双）
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
输入电容：50pF @ 25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：50V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1.5V @ 250µA
功率：236mW（Ta）
栅极电荷：1nC @ 4.5V
连续漏极电流：360mA（Ta）
类型：2 N-通道（双）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002V-TP
功率：150mW
输入电容：50pF @ 25V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V @ 250µA
导通电阻：2 欧姆 @ 500mA，10V
连续漏极电流：280mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：2 N-通道（双）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLWFT1G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：7nC @ 4.5V
漏源电压：40V
连续漏极电流：14A（Ta），52A（Tc）
功率：3W（Ta），40W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 30µA
导通电阻：7.4 毫欧 @ 10A，10V
输入电容：997pF @ 25V
类型：2 N-通道（双）
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：34W
阈值电压：2.5V @ 250µA
导通电阻：8 毫欧 @ 8A，10V
连续漏极电流：30A（Tc）
栅极电荷：35nC @ 10V
输入电容：1900pF @ 25V
类型：2 N-通道（双）
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
漏源电压：60V
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
阈值电压：2.2V @ 30µA
类型：2 N-通道（双）
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2331
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
输入电容：1266pF @ 50V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：2 N-通道（双）
阈值电压：4V @ 250µA
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
输入电容：81pF @ 15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1.25V @ 250µA
栅极电荷：1.65nC @ 4.5V
连续漏极电流：870mA（Ta）
导通电阻：252 毫欧 @ 900mA，4.5V
类型：2 N-通道（双）
功率：260mW（Ta）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002VA
输入电容：50pF @ 25V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：280mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
功率：250mW
导通电阻：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
类型：2 N-通道（双）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
