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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ456EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3342pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1833
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"18+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6210-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"18+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6210-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1833
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1838，"22+"：2112，"23+"：538}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€115.4W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：29.7A€174A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ456EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3342pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€115.4W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：29.7A€174A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1838，"22+"：2112，"23+"：538}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
