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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
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    当前匹配商品:30+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5832NLWFT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5832NLWFT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5832NLWFT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€127W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB530N15N3GATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB530N15N3GATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订624个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订624个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1460}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1460}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB530N15N3GATMA1 起订10个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订10个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订100个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:12nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:887pF@75V

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1460}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:12nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:887pF@75V

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    功率:3.1W€37W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:26nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:1683pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB530N15N3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB530N15N3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":64,"20+":393,"22+":100000,"23+":2000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB530N15N3GATMA1 起订408个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB530N15N3GATMA1 起订408个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":64,"20+":393,"22+":100000,"23+":2000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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