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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 950mV@250µA
    当前匹配商品:800+
    商品信息
    参数
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB550UNEYL 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB550UNEYL 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB550UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30.3pF@15V

    连续漏极电流:590mA

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40.8pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB550UNEYL 起订28个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB550UNEYL 起订28个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB550UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30.3pF@15V

    连续漏极电流:590mA

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ1000UN,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB390UNEYL 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB390UNEYL 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB390UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:470mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.24A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3731UFB4-7B 起订76个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3731UFB4-7B 起订76个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3731UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB390UNEYL 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB390UNEYL 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB390UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:470mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFD-7 起订52个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFD-7 起订52个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67.62pF@25V

    连续漏极电流:1.21A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB550UNEYL 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB550UNEYL 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB550UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30.3pF@15V

    连续漏极电流:590mA

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订40个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订40个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3730UFB4-7 起订52个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3730UFB4-7 起订52个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3730UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订29个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订29个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB550UNEYL 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB550UNEYL 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB550UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30.3pF@15V

    连续漏极电流:590mA

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订32个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订32个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订7937个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订7937个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":40708,"17+":190000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ1000UN,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3730U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3730U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3730U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ1000UN,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订31个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订31个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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