品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ200UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:89pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40.8pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.89nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB390UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.24A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:520mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB390UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67.62pF@25V
连续漏极电流:1.21A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB550UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ130UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":40708,"17+":190000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.89nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.89nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB200UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:89pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: